### 1. 서론 전 세계적인 탄소 중립 목표 달성과 에너지 효율 향상에 대한 요구가 증가하면서 전력 반도체 시장은 급격한 성장세를 보이고 있다. 특히 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN(질화갈륨) 기반의 차세대 전력 반도체 소자는 기존 실리콘(Si) 소자의 한계를 극복하고 고전압, 고주파, 고온 환경에서 뛰어난 성능을 제공하여 전력 변환 시스템의 효율을 극대화할 수 있다. 하지만 SiC 및 GaN 소자는 Si 소자에 비해 계면 결함 밀도가 높고, 이는 소자의 안정성과 신뢰성에 큰 영향을 미칠 수 있다.

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**연구 배경 및 필요성** 최근 전력 반도체 소자의 고성능화, 고집적화 추세는 전력 변환 시스템의 효율 증대, 소형화, 경량화에 기여하고 있다. SiC (실리콘 카바이드) 및 GaN (갈륨 나이트라이드)과 같은 차세대 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 소자는 기존 Si 기반 소자에 비해 높은 항복 전압, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭 속도 등의 장점을 제공한다. 이러한 WBG 소자의 장점을 극대화하기 위해서는 전력 모듈의 집적도를 높이는 동시에 발생하는 열을 효율적으로 관리하는 기술이 필수적이다.

### 1. 서론 최근 전력 소비량 증가와 함께 에너지 효율에 대한 요구가 높아지면서 전력 반도체의 중요성이 더욱 부각되고 있다. 특히, 실리콘(Si) 기반 전력 반도체는 물질적 한계로 인해 고전압, 고주파수, 고온 환경에서의 성능 개선에 어려움을 겪고 있다. 따라서 차세대 전력 반도체 소재인 SiC(탄화규소) 및 GaN(질화갈륨)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 SiC와 GaN의 장점을 결합한 이종접합 구조를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 최적화된 구조를 도출하여 고효율 차세대 전력 반도체 소자 개발에 기여하고자 한다.

Here’s a RoundUp of this week’s must-read articles – we’ll delve into the latest developments on Gan Power Devices, Perovskite Solar Cell, and SiC IGBTs!

In this post, well explore the Nvts Stock Price Prediction. Navitas Semiconductor keeps grabbing headlines because of its cutting-edge GaN and SiC chips. As electric vehicles and AI data centers grow, knowing where its shares might head can guide investors toward smarter, long-term gains. What is Nvts Stock? Navitas Semiconductor trades on NASDAQ under the ticker NVTS. Based in Torrance, California, the company was started in 2014 to make cutting-edge power chips out of gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).

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Taiyo Yuden’s hybrid capacitors target integration into automotive SiC and GaN power circuits.

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### 1. 서론 최근 전력 전자 산업에서는 에너지 효율 향상 및 전력 밀도 증가에 대한 요구가 급증하고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위해 실리콘 (Si) 기반 소자의 한계를 극복할 수 있는 와이드 밴드갭 (WBG) 소자, 특히 질화갈륨 (GaN) HEMT 및 탄화규소 (SiC) MOSFET이 주목받고 있다. WBG 소자는 높은 항복 전압, 빠른 스위칭 속도, 낮은 온 저항 등의 장점을 가지지만, 높은 dv/dt 및 di/dt로 인한 전자기 간섭 (EMI) 문제, 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트, 그리고 그로 인한 스위칭 손실 증가 등의 해결해야 할 과제들이 존재한다.

### 초록 본 연구는 전력 반도체 소자, 특히 Wide Band Gap (WBG) 소자인 GaN (Gallium Nitride) 및 SiC (Silicon Carbide) MOSFET의 급격한 스위칭 동작으로 인해 발생하는 과전압을 효과적으로 억제하기 위한 능동 클램핑 회로와 최적화된 제어 알고리즘 개발에 초점을 맞추고 있다. 전력 변환 시스템의 효율과 신뢰성을 향상시키기 위해, 기존 수동 클램핑 방식의 한계를 극복하고 능동적인 과전압 제어를 통해 소자 손상을 방지하며 시스템의 안정성을 확보하는 것을 목표로 한다.

### 1. 서론 급증하는 전력 수요와 환경 규제 강화에 따라 전력 변환 시스템의 고효율, 고전력 밀도화에 대한 요구가 증대되고 있다. 실리콘 (Si) 기반 소자는 SiC (실리콘 카바이드)와 GaN (갈륨 나이트라이드) 등 Wide Bandgap (WBG) 소재 기반 소자에 비해 스위칭 속도, 고온 동작 특성 등에서 한계를 보인다. 특히 SiC MOSFET은 높은 스위칭 속도와 낮은 온 저항 특성으로 인해 고효율 전력 변환 시스템에 널리 적용되고 있다.

Navitas Semiconductor's GaNFast and GeneSiC technologies power Dell's new notebook adapters, delivering 3x faster charging in half the size while reducing CO2 emissions significantly.

スマートエナジー研究所（横浜市港北区、中村創一郎社長）は、窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）のパワー半導体に対応した回路シミュレー��...